Инновационное решение, которое устраняет ограничения производительности

   
Микроархитектура Intel® Core™ следующего поколения построена на базе 45-нанометровой производственной технологии Intel® с использованием диэлектриков Hi-k и металлических затворов. В этой технологии плотность размещения транзисторов примерно в два раза превышает плотность размещения транзисторов в 65-нанометровой производственной технологии. Таким образом, в 45-нанометровой производственной технологии на такой же площади кристалла используется в два раза больше транзисторов. Число транзисторов в двухъядерных процессорах достигает более 400 миллионов и более 800 миллионов в четырехъядерных процессорах. 45-нанометровая производственная технология Intel® обеспечивает значительное повышение производительности, увеличение объема кэш-памяти 2 уровня до 50% и достижение рекордных показателей энергосбережения.

Более компактные транзисторы обеспечивают дополнительное повышение производительности

В начале января 2007 года корпорация Intel создала первые в мире процессоры на базе 45-нанометровой производственной технологии. В настоящее время еще пятнадцать процессоров на базе 45-нанометровой производственной технологии находятся на стадии разработки. Создание 45-нанометровой производственной технологии Intel с использованием диэлектриков Hi-k стало одним из фундаментальных прорывов в области разработки транзисторов за последние 40 лет. Эта технология позволит более чем на 20% увеличить скорость переключения транзисторов и более чем в 10 раз сократить объем утечки тока транзистора.

Прорывы в области проектирования транзисторов

В 45-нанометровой производственной технологии Intel используется новое сочетание материалов диэлектрика high-k на базе гафния и металлических затворов. Благодаря этому инновационному решению 45-нанометровая производственная технология стала крупным технологическим прорывом. Инновационное сочетание материалов позволяет решить проблему сокращения уровня утечки тока транзисторов, которая становится для производителей все более критичной по мере уменьшения размеров транзисторов.

Новый прорыв в области создания транзисторов позволит корпорации Intel и дальше разрабатывать процессоры для ПК, ноутбуков и серверов, отличающиеся рекордной производительностью. Это также подтверждает тот факт, что закон Мура, аксиома отрасли высоких технологий, гласящая, что число транзисторов удваивается каждые два года, расширяя функциональные возможности и одновременно сокращая стоимость продукции, продолжает действовать и в наступившем десятилетии.

Первый в мире процессор на базе 45-нанометровой производственной технологии

В первых процессорах на базе новой 45-нанометровой производственной технологии Intel с диэлектриками Hi-k реализованы разнообразные архитектурные усовершенствования, позволяющие увеличить производительность аппаратного и программного обеспечения. Кроме того, в 45-нанометровой производственной технологии используются материалы, не содержащие свинца, а с 2008 года корпорация Intel планирует перейти на продукцию, в которой не используется галоген. Эти изменения позволят корпорации Intel достичь поставленные цели, связанные с защитой окружающей среды. 45-нанометровая производственная технология уже реализована в процессорах семейства Intel® Core™2 и Intel® Xeon®.